序号

安全评价报告公开内容

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安全评价项目名称

长江存储科技有限责任公司国家存储器基地项目（一期）安全预评价

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类型

（预、验收、现状）

安全预评价

3

所属行业

18b 电器制造业

4

简介

项目拟选址位于武汉光谷未来科技城内，场地北侧为三湖街路，南侧为科技五路，西侧为未来二路，东侧为未来三路；该项目产品及生产规模：10万片/月12英寸3D NAND flash。加工工艺包括硅片氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、CVD及金属化等工序。工程静态总投资为85亿美元。

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项目组长

王  彪

6

技术负责人

夏水国

7

过程控制负责人

王  琦

8

评价报告编制人

王  彪、许永莉、向  幸

9

报告审核人

刘凌燕

10

参与评价工作的安全评价师

夏水国、王  彪、许永莉、黄  伟、向  幸、凌  俊

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参与评价工作注册安全工程师

夏水国、王  彪、许永莉、向  幸

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技术专家

无

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到现场开展安全评价工作的人员

王  彪、许永莉

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到现场的时间

2016年10月21日

15

到现场的主要任务

查看现场、收集资料

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评价报告提交时间

2016.11.30

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安全评价现场影像资料(附照片5张以上)

见附件

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其他

无