序号

安全评价报告公开内容

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安全评价项目名称

海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室改建项目安全预评价

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类型

（预、验收、现状）

安全预评价

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所属行业

电器制造业（18b）

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简介

海思光电子有限公司武汉铟磷半导体实验室改建项目位于武汉市东湖新技术开发区高新大道999号，高新大道以北、外环线以西未来科技城新能源基地C1单元，位于未来科技城起步区一期南部中间区域。本项目属于改建项目，投资2.5亿人民币。评价范围主要包括主体工程（芯片制造、封装工艺）、供配电系统、给水系统、超纯水系统、排水系统、暖通系统、供气系统、废水、废气、固废、风险应急事故水池、C1a号建筑物等。

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项目组长

王琦

6

技术负责人

王彪

7

过程控制负责人

童蕾

8

评价报告编制人

王琦、聂岸、张倩倩

9

报告审核人

郝玉泽

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参与评价工作的安全评价师

王琦、王彪、虞宏、凌俊、姚勇、张倩倩、胡涛、吴启兵、聂岸、王立明、吴建明

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参与评价工作注册安全工程师

王琦、王彪、聂岸、王立明

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技术专家

无

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到现场开展安全评价工作的人员

王琦、王彪

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到现场的时间

2017.2.10、2017.4.6

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到现场的主要任务

收集资料、勘察周边环境

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评价报告提交时间

2017.5.17

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安全评价现场影像资料(附照片5张以上)

见附件

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其他

无