建设单位

武汉新芯集成电路制造有限公司

项目名称

武汉新芯集成电路制造有限公司职业病危害因素定期检测与评价

建设地址

武汉市东湖开发区高新四路18号

项目简介

武汉新芯集成电路制造有限公司于2008年7月投产，位于武汉市东湖开发区高新四路18号，主要产品为12寸集成电路晶片。

企业联系人

陈 * *

联系电话

1810867****

项目负责人

张  丽

技术负责人

陈  强

参与项目人员名单及资质证书号

职  责

姓  名

职称/职务

项目负责人

张  丽

工程师

报告编写人

张  丽

工程师

报告审核人

陈  强

高级工程师

技术负责人

陈  强

高级工程师

现场调查

人员及时间

张  丽、陈  强

2022.10.27

建设单位

陪同人

陈 * *

现场采样

人员及时间

朱灿松、路昊、陈强、张丽、耿宏波、秦梓航、

熊佳琪、李克梅

2022.11.8至2022.11.11、2022.11.14、2022.11.15、2022.11.18

建设单位

陪同人

陈 * *、吕 * *

实验室检测人员及时间

李婕、邬姗姗、甘晓峰

2022.11.8~2022.12.2

报告专家

评审时间

—

正式报告

出具时间

2022.12.7

建设单位存在的职业病危害因素

根据职业病危害因素辨识结果，确定主要职业病危害因素有：（1）化学有害因素：臭氧、过氧化氢、氨、氟化氢、氟化物、氯化氢及盐酸、氯气、硫酸、磷酸、硝酸、乙硼烷、磷化氢、异丙醇、三氟化硼、二氯乙烯、六氟化硫、氢氧化钠、氢氧化钾、砷化氢、一氧化碳、二氧化碳、氮氧化物、乙酸、甲醇、环己酮、甲酚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、吡啶、钨及其化合物、萘、三氟化氯、三氟化氮、三氯化硼、三氯化铟、一氧化二氮、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、丙酮、溴化氢、四甲基氢氧化铵（TMAH）；（2）物理因素：高频电磁场、超高频辐射、紫外辐射、工频电场、激光、噪声；（3）放射性因素：X射线。

 

 

职业病

危害因素

检测结果

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

职业病

危害因素

检测结果

职业病危害因素

检测样品数（工种）

超标样品数（工种）

臭氧

12

0

砷化氢

5

0

氯气

6

0

磷化氢

12

0

三氟化硼

4

0

氯化氢及盐酸

11

0

氢氧化钾

1

0

氟化氢

18

0

过氧化氢

15

0

氨

23

0

硫酸

14

0

氟化物

3

0

一氧化碳

8

0

异丙醇

21

0

磷酸

6

0

乙酸

4

0

环己酮

2

0

甲酚

2

0

乙酸丁酯

2

0

乙酸戊酯

2

0

乙二醇

4

0

环己酮

3

0

吡啶

2

0

钨及其化合物

6

0

萘

2

0

氮氧化物

5

0

二氧化碳

21

0

三氯化铟

2

0

苯

2

0

甲苯

2

0

乙苯

2

0

二甲苯

2

0

二氯乙烯

2

0

甲醇

4

0

丙酮

2

0

噪声

51

0

紫外辐射

46

0

高频电磁场

108

0

超高频辐射

31

0

工频电场

70

0

微波辐射

11

0

X射线

44

0

评价结论

与建议

检测结果均符合《工作场所有害因素职业接触限值 第1部分：化学有害因素》（GBZ 2.1-2019）、《工作场所有害因素职业接触限值 第2部分：物理因素》（GBZ2.2-2007）、《X射线衍射仪和荧光分析仪卫生防护标准》（GBZ 115-2002）和《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》（GB 18871-2002）的要求。

技术审查

专家组

评审意见

—

现场照片

 

备注

—